삼성 이재용의 '초격차' 차세대D램...30조원 들인 평택2라인 가동 'K칩 전략 가속'

EUV기반의 3세대 10나노급 LPDDR5 D램 양산 시작
이재용의 투자전략 '위기일수록 투자하라' 엿볼 수 있어

지난해 8월 평택2라인 건설현장을 살펴보고있는 이재용(오른쪽) 부회장 / 사진= 삼성전자

[매일경제TV] 삼성전자가 30조원 이상 대규모 자금을 투자하는 평택 2라인이 착공 2년7개월 만에 차세대 D램 제품 양산을 시작으로 본격적인 가동에 돌입했습니다.

삼성전자는 '초격차' 핵심전략으로 현재 구축 중인 차세대 낸드플래시와 파운드리(반도체 위탁생산) 라인도 내년 하반기 차례대로 가동해 평택 2라인을 첨단 복합 생산라인으로 운영해 반도체 핵심 기지로 키운다는 전략입니다.

이재용 삼성전자 부회장은 협력사 지원과 산학 협력을 통해 국내 반도체 생태계를 키워 압도적인 메모리 1위를 유지하고 2030년 비메모리에서도 글로벌 1위에 오른다는 'K칩 시대' 청사진을 내놓은 바 있는데, 평택 2라인 가동을 계기로 이 같은 전략에 더욱 속도가 붙을 것으로 전망됩니다.

오늘(30일) 삼성전자는 평택 2라인에서 업계 최초로 극자외선(EUV) 공정을 적용한 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램을 양산한다고 밝혔습니다.

이번에 출하된 16기가비트(Gb) LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산 제품으로는 처음 EUV 공정이 적용된 제품으로, 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 3세대 10나노 LPDDR5 제품이라고 회사 측은 설명했습니다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰에 탑재됐던 12Gb 모바일 D램 대비 16% 빠른 동작 속도를 구현했습니다.

특히 16Gb LPDDR5 모바일 D램을 활용하면 칩 8개로 16GB 패키지 제품을 구성할 수 있어 12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개로 16GB 패키지를 구성해야 했던 기존 제품보다 두께를 30%나 줄일 수 있다는 설명입니다.

업계에서는 이번 EUV D램 양산이 이재용 부회장 등 최고경영진의 기술 리더십이 가시적인 성과를 낸 것이라는 분석이 나옵니다.

이 부회장은 지난 6월 삼성전자 화성사업장에 위치한 반도체 연구소를 방문한 자리에서 "미래 기술을 얼마나 빨리 우리 것으로 만드느냐에 따라 생존이 달려 있다"고 말하는 등 기술 선점에 대한 중요성을 지속적으로 강조해왔습니다.

삼성전자 평택 2라인은 2018년 1월 착공해 구축 중인 연면적 12만8900㎡(축구장 16개 크기)에 이르는 세계 최대 규모 반도체 생산 라인입니다.

2018년 8월 발표한 '180조원 투자·4만명 고용' 계획 일환으로, 삼성전자는 코로나19와 미·중 갈등 등 불확실성이 가중되는 악조건 속에서도 '미래를 위한 투자를 멈춰선 안 된다'는 이 부회장 의지에 따라 신규 투자와 채용을 이어가고 있습니다.

평택 2라인 구축으로 직접고용 4000명을 포함해 총 4만명에 달하는 고용 창출 효과가 기대됩니다.

평택 2라인은 EUV D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드와 파운드리 라인까지 갖춘 첨단 복합 생산 라인으로서 삼성의 반도체 '초격차' 전진기지 역할을 하게 됩니다.

삼성전자는 지난 5월 평택 2라인에 EUV 기반 초미세 공정 수요에 대응하기 위해 EUV 파운드리 생산라인을 착공했으며 6월에는 차세대 낸드플래시 수요 확대에 대비해 V낸드 생산 라인도 착공했습니다.

두 라인 모두 내년 하반기부터 본격 가동됩니다.

[ 윤상식 기자 김태진 기자 / mkktj@mk.co.kr ]