격렬해진 초미세 경쟁 TSMC "2년뒤 1.6나노"

세계 최대 파운드리 업체 대만 TSMC가 1.6나노 공정 로드맵을 발표하면서 반도체업계 초미세 기술 경쟁에 불을 지폈다.

TSMC는 2026년 하반기부터 1.6나노 공정을 통한 반도체 생산을 시작할 예정이라고 24일(현지시간) 밝혔다.

로이터통신에 따르면 YJ 미이 TSMC 공동 최고운영책임자(COO)는 이날 미국 캘리포니아주 실리콘밸리 샌타클래라 컨벤션센터에서 열린 'TSMC 테크놀로지 심포지엄 2024'에서 "'A16' 기술을 통해 칩 뒷면에서 전력 공급이 가능해 인공지능 칩의 속도를 높일 수 있다"며 이 같은 내용을 발표했다.

TSMC가 이날 언급한 A16 기술은 1.6나노 공정 수준의 기술을 의미한다.

이 회사가 1.6나노 공정 로드맵을 밝힌 것은 이번이 처음이다.

TSMC는 그동안 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정을 통한 생산 계획을 밝힌 바 있다.

2027년 1.4나노 기술에 도달하기 전 1.6나노 공정도 선보이면서 초미세 공정 리더십을 계속 지켜 나가겠다는 목표다.

TSMC는 대만 내 2나노 이하 공정 투자를 확대하는 한편 미국에도 세 번째 공장을 지어 2나노 이하 첨단 공정을 도입할 예정이다.

TSMC는 내년 하반기부터 2나노 공정 양산을 시작해 2026년 1분기부터 수익이 발생할 것으로 예상하고 있다.

삼성전자도 내년 국내 양산을 목표로 2나노 공정 개발에 공을 들이고 있다.

삼성전자도 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 공정 계획을 갖고 있다.

다만 1.6 나노 공정에 대해 발표한 적은 없었다.

삼성전자는 2나노 공정을 TSMC를 추격하기 위한 승부처로 보고 있다.

지금은 TSMC보다 1~2년 뒤처졌지만 2나노에선 앞설 수 있다는 자신감이다.

경쟁사보다 한 발 앞서 선보인 최첨단 기술인 게이트올어라운드(GAA)가 성공적으로 안착 중이라는 게 기대 요인이다.

GAA는 트랜지스터의 게이트와 채널이 닿는 면을 4개로 늘린 차세대 기술이다.

기존 핀펫(FinFET) 구조보다 1면을 늘려 전력 효율을 높이는 방식이다.

삼성전자는 3나노 공정부터 GAA 기술을 적용하고 있다.

파운드리 공정에 GAA 기술을 적용한 것은 현재 삼성전자가 유일하다.

TSMC는 2나노부터 GAA 공법을 적용할 예정이다.

[오찬종 기자]