삼성전자, 3나노 반도체 양산 출하식 개최

삼성전자가 오늘(25일) 경기도 화성캠퍼스 내 극자외선 전용 V1 라인에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했습니다.
이번 행사에는 이창양 산업통상자원부 장관과 경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사, 협력사와 팹리스 관계자 등 100여 명이 참석했습니다.
삼성전자는 앞서 지난달 말 세계 최초로 GAA 기술을 적용한 3나노 공정 양산 돌입을 발표한 바 있습니다.
3나노 공정은 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로 꼽힙니다.

[조문경 기자 / sally3923@mk.co.kr]