삼성전자, 내년 5세대 10나노급 D램 양산

삼성전자가 내년에 세계 최초로 5세대 10나노미터급 D램을 양산합니다.
삼성전자 메모리사업부장 이정배 사장은 현지시간 5일 미 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이'에서 "내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드를 양산할 계획"이라고 발표했습니다.
삼성전자는 또 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1천단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 밝혔습니다.

[ 고진경 기자 / jkkoh@mk.co.kr ]