SK하이닉스가 초고층인 '321단 낸드' 샘플을 공개하며 업계 최초로 300단 이상 낸드 개발 진행을 공식화했습니다.
SK하이닉스는 현지시간 8일 미국 캘리포니아주 샌타클래라에서 개막한 '플래시 메모리 서밋 2023'에서 321단 1테라비트(Tb) TLC 4D 낸드플래시 개발 경과를 발표하고 샘플을 전시했습니다.
낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 셀을 수직으로 쌓아 올려 데이터 용량을 늘리는 적층 기술이 핵심 요소입니다.
SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 2025년 상반기부터 양산에 들어갈 계획입니다.
[ 이명진 기자 / pridehot@mk.co.kr ]
[ⓒ 매일경제TV & mktv.co.kr, 무단전재 및 재배포 금지 ]