“잘 나갈때 확실히 밀어줄게”…SK하이닉스, 용인에 9.4조 쏜다

SK, 용인 첫 팹에 9.4조 투자
내년 3월 착공·2027년 준공
HBM 등 차세대 D램 생산라인
소부장 중기 50여곳도 입주

공사가 진행 중인 용인 반도체 클러스터 [사진 출처 = 연합뉴스]

SK하이닉스가 글로벌 인공지능(AI) 반도체 생산 거점이 될 용인 반도체 클러스터의 1기 팹(Fab·반도체 생산공장) 건설에 9조원이 넘는 자금을 투입한다.

SK하이닉스는 26일 이사회를 열어 용인 클러스터 첫 번째 팹과 업무 시설을 짓는 데 약 9조4000억원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다.

투자 기간은 팹 건설을 준비하기 위한 설계 기간과 2028년 하반기 준공 예정인 업무지원동 등을 고려해 다음 달부터 2028년 말까지로 산정했다.

SK하이닉스는 내년 3월 용인 클러스터에 첫 팹을 착공해 2027년 5월 준공할 계획이다.

이번에 승인된 투자액에는 1기 팹과 함께 수처리 시설, 공동구(전선로 등 지하매설물을 공동 수용할 수 있는 시설물), 변전시설 등 부대시설, 업무지원동, 복지시설 등 클러스터 초기 운영에 필요한 각종 건설 비용이 포함됐다.

SK하이닉스는 “기존에 정해진 일정대로 추진하기에 앞서 이사회의 투자 의사 결정을 받은 것”이라며 “회사의 미래 성장 기반을 다지고 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기 대응하기 위해 팹 건설에 만전을 기하겠다”고 밝혔다.

경기 용인시 원삼면 일대 415만㎡ 규모 부지에 조성되는 용인 클러스터는 현재 부지 정지 작업과 인프라 구축 작업이 진행 중이다.

SK하이닉스는 이곳에 차세대 반도체를 생산할 최첨단 팹 4개를 짓고, 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여곳과 함께 반도체 협력단지를 구축하기로 했다.

1기 팹 건설 이후 나머지 3개 팹도 순차적으로 완공해 용인 클러스터를 글로벌 AI 반도체 생산 거점으로 성장시킨다는 계획이다.

SK하이닉스는 용인 1기 팹에서 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.

국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축할 계획이다.

미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로 이를 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원한다는 방침이다.

김영식 SK하이닉스 제조기술담당 부사장은 “용인 클러스터는 SK하이닉스의 중장기 성장 기반이자 협력사들과 함께 만들어 가는 혁신과 상생의 장(場)이 될 것”이라며 “대규모 산단 구축을 성공적으로 완수, 대한민국 반도체 기술력과 생태계 경쟁력을 획기적으로 높여 국가 경제 활성화에 기여하겠다”고 말했다.

현재 SK하이닉스는 충북 청주에 신규 반도체 공장 M15X도 짓고 있으며 내년 하반기부터 HBM을 비롯한 D램 제품을 양산한다는 계획이다.