한미반도체, HBM4용 ‘TC본더 4’ 출격...“16단까지 적층 가능”

HBM TC 본더 세계 점유율 1위 유지
JEDEC 표준 변경, 하이브리드 본딩 없이 생산
정밀도·생산성 모두 개선된 신규 장비
AI 반도체 시장 확대로 매출 기여 기대

한미반도체 는 차세대 인공지능(AI) 반도체의 핵심 부품인 HBM4 생산을 위한 전용 장비 ‘TC 본더 4(TC BONDER 4)’를 출시한다고 14일 밝혔다. TC 본더 4는 HBM4 특성에 맞춰 정밀도와 생산성을 대폭 향상시킨 고성능 본딩 장비다.

한미반도체는 차세대 인공지능(AI) 반도체의 핵심 부품인 HBM4 생산을 위한 전용 장비 ‘TC 본더 4(TC BONDER 4)’를 출시한다고 14일 밝혔다.

TC 본더 4는 HBM4 특성에 맞춰 정밀도와 생산성을 대폭 향상시킨 고성능 본딩 장비다.

곽동신 한미반도체 회장은 “AI 시장의 급성장과 함께 글로벌 HBM 수요도 폭발적으로 늘고 있다”며 “엔비디아가 올해 하반기 출시하는 차세대 AI 제품 ‘블랙웰 울트라’도 당사의 TC 본더 장비를 통해 생산된다.

HBM TC 본더 분야에서 세계 1위 경쟁력을 계속 유지해 나갈 것”이라고 말했다.

한미반도체는 “HBM4 생산을 위해 기존에는 하이브리드 본딩 기술이 필요하다는 시각이 있었다”면서도 “하지만 지난 4월 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 HBM4의 표준 높이를 775마이크로미터(㎛)로 완화하면서, 한미반도체는 기존 TC 본더 기술을 그대로 활용해 HBM4 생산이 가능해지는 수혜를 입었다”고 강조했다.

곽 회장은 “신규 출시한 ‘TC 본더 4’는 HBM4 전용으로 개발된 장비로, 고도의 정밀도를 요구하는 16단 이상 적층 공정에서도 높은 생산성과 품질을 제공한다”며 “글로벌 반도체 고객사들의 HBM4 양산에 적극 활용될 것이며, HBM4 시장의 확장과 함께 당사의 매출 성장에도 큰 기여를 할 것”이라고 밝혔다.

HBM4는 올해 하반기부터 주요 메모리 기업들이 양산에 나설 예정인 차세대 고대역폭 메모리다.

기존 HBM3E 대비 속도는 약 60% 빨라지고 전력 소모는 30% 감소한 것이 특징이다.

최대 16단까지 적층이 가능하고, D램 한 개당 용량도 24기가비트(Gb)에서 32기가비트로 확장됐다.

데이터 전송에 사용되는 TSV(실리콘관통전극) 인터페이스 수도 기존 대비 두 배인 2048개로 늘어나 프로세서와 메모리 간 데이터 속도도 대폭 향상됐다.

한미반도체는 1980년 설립된 반도체 장비 전문기업으로, 전 세계 320여 고객사를 보유하고 있다.

2002년 지적재산부를 설립해 기술 보호에 집중해왔으며, 현재까지 HBM 관련 장비에 대해 총 120여 건의 특허를 출원한 바 있다.

현재 한미반도체는 HBM3E 12단 생산용 TC 본더 시장에서 90% 이상의 점유율을 기록 중이다.

한편 SK하이닉스는 HBM4 20단부터 D램 위·아래를 구리로 직접 연결하는 기술인 ‘하이브리드 본딩’을 기본 기술로 적용하는 방안을 추진하고 있다.