삼성전자 "차세대 낸드플래시에 '더블스택' 적용해 256단까지 적층"

삼성전자 평택 공장.

세계 낸드플래시 반도체 시장 점유율 1위 삼성전자가 어제(30일) '삼성전자 투자자 포럼 2020'을 열고 차세대 V낸드(vertical NAND)에 '더블 스택' 기술을 도입한 256단 적층이 가능하다고 밝혔습니다.

한진만 메모리사업부 전무는 포럼에서 "차세대 V낸드에 투 스택(Two Stack) 기술을 적용할 예정"이라며 "현재 6세대 V낸드는 싱글 스택 기술로 128단을 적층하는데, 투 스택 기술을 적용할 경우 단순 계산해 256단 적층이 가능하다"고 말했습니다.

다만 "실제 적층 단수는 소비자 수요와 시장 상황 등을 고려해 내부 전략에 따라 달라질 것"이라며 "얼마나 쌓을 수 있냐가 아니라 현시점에서 시장에 최적화된 단수가 무엇이냐의 문제"라고 설명했습니다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터가 저장되는 메모리 반도체로, 기본 저장 단위인 '셀'을 수직으로 높이 쌓아 올릴수록 저장할 수 있는 데이터양이 많아집니다.

삼성전자는 기존 128단의 6세대 V낸드를 넘어서는 7세대 V낸드를 개발하고 있으며 양산 시점은 내년으로 예정돼 있습니다.

한 전무는 "삼성의 차별화된 극자외선(EUV) 시스템을 기반으로 첨단공정을 선도하며 시장의 높은 수요에 부응할 것"이라고 강조했습니다.

[ 신민호 인턴기자 / mino@mk.co.kr ]