삼성 파운드리 수장 "2나노로 반등"

삼성전자 신임 파운드리사업부장(사장)이 2나노 공정 수율을 획기적으로 개선해 사업 침체의 악순환을 끊겠다고 밝혔다.

선단 공정뿐 아니라 중국이 빠르게 추격하는 성숙 공정에서도 기술 초격차를 확보하겠다는 의지도 강조했다.

9일 업계에 따르면 이번 삼성전자 연말 인사에서 파운드리사업부장으로 선임된 한진만 사장은 이날 임직원에게 보낸 첫 메시지에서 "게이트올어라운드(GAA) 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤄냈지만 사업화에선 부족함이 많다"며 "2나노 공정의 빠른 램프업(ramp-up)을 이루겠다"고 밝혔다.

그는 "기회의 창이 닫혀 다음 노드에서 또다시 승부를 걸어야 하는 악순환을 끊자"며 "공정 수율을 획기적으로 개선해야 할 뿐만 아니라 소비전력·성능·면적(PPA) 향상을 위해 모든 노브(knob·혹)를 샅샅이 찾아내야 한다"고 강조했다.

GAA는 반도체 트랜지스터에서 전류가 흐르는 채널 4개를 게이트가 감싸는 구조다.

삼성전자는 2022년 6월 GAA 공정을 활용해 세계 최초로 3나노 공정 양산에 성공했지만 낮은 수율 문제로 어려움을 겪고 있다.

삼성전자 3나노 공정 부진이 이어지며 차세대 기술인 2나노 공정에서도 수율 악화 문제가 발생하고 있다.

그는 성숙 공정에서 수익성을 더 높여야 한다고 강조했다.

한 사장은 이날 "우리 기술력이 주요 경쟁사에 비해 뒤처진다는 점을 인정해야 한다"면서도 "언젠가는 이를 극복할 수 있을 것이다.

내년 턴어라운드를 기대한다"고 밝혔다.

이어 "단기간에 주요 파운드리 업체들을 따라잡는 것은 어렵겠지만, 영업과 기술 지원 현장에서 자신 있게 우리 서비스를 제공할 수 있도록 기술 경쟁력을 강화하자"고 당부했다.

[박소라 기자]