삼성전자는 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3
나노미터(㎚, 10억 분의 1m) 공정 초도 양산을 시작했다고 오늘(30일) 공식 발표했습니다.
반도체 회로 선폭을 의미하는 3
나노 공정은 현재 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술로, 이 공정에선 파운드리 업계 1위 기업인 대만 TSMC보다
삼성전자가 앞섰습니다.
지금까지
삼성전자와 TSMC의 최선단(최소선폭) 공정은 4
나노였습니다.
회로 선폭을 미세화할수록 반도체 소비전력이 감소하고 처리 속도가 향상되는데
삼성전자는 이번 3
나노 공정에서 차세대 트랜지스터 구조인 'GAA'(Gate-All-Around) 신기술을 세계 최초로 적용하며 기술 혁신을 이뤄냈습니다.
GAA 기술은 공정 미세화에 따른 트랜지스터의 성능 저하를 줄이고, 데이터 처리 속도와 전력 효율을 높일 수 있어 기존 핀펫(FinFET) 기술에서 한 단계 진보된 차세대 반도체 핵심 기술로 손꼽힙니다.
삼성전자는 3
나노 GAA 1세대 공정이 기존 5
나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적을 16% 줄일 수 있다고 설명했습니다.
내년에 도입될 예정인 3
나노 GAA 2세대 공정은 전력 50% 절감, 성능 30% 향상, 면적 35% 축소 등의 성능이 예상된다고 회사는 설명했습니다.
이번 3
나노 공정은 첨단 파운드리 EUV(극자외선) 공정이 적용되는
삼성전자 화성캠퍼스 S3 라인에서 생산됩니다.
삼성전자는 고성능 컴퓨팅(HPC, High-Performance Computing)용 시스템 반도체 양산에 3
나노 공정을 우선 적용하고 향후 모바일 SoC(시스템온칩) 등으로 확대한다는 방침입니다.
최시영
삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 "
삼성전자는 파운드리 업계 최초로 FinFET, EUV 등 신기술을 선제적으로 도입하며 빠르게 성장해 왔고, 이번에 GAA 기술을 적용한 3
나노 공정의 파운드리 서비스를 세계 최초로 제공하게 됐다"며 "앞으로도 차별화된 기술을 적극적으로 개발하고, 공정 성숙도를 빠르게 높이는 시스템을 구축해 나가겠다"고 밝혔습니다.
삼성전자는 이번 3
나노 양산을 계기로 세계 1위 파운드리 기업 대만 TSMC 추격에 속도를 낸다는 계획입니다.
대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 기준 세계 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 53.6%로 1위였고,
삼성전자가 16.3%로 2위였습니다.
TSMC는
삼성전자에 이어 올해 하반기 중 3
나노 반도체 양산을 시작하고, GAA 기술은 2
나노 공정부터 적용할 계획인 것으로 알려졌습니다.
삼성전자는 이번 3
나노 반도체 양산에 이어 2025년 GAA 기반 2
나노 공정을 시작할 예정입니다.
[ 박소민 인턴기자 ]
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