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삼성 견제 나선 TSMC "40억弗 투자"
기사입력 2019-05-24 20:45
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삼성이 2030년 비메모리 반도체에서 업계 1위에 오르겠다고 공언한 가운데 비메모리 반도체 중 파운드리(반도체 위탁생산) 분야 세계 1위인 대만 TSMC가 첨단 노드 제조에 대규모 투자를 결정하며 삼성전자를 견제하고 나섰다.


삼성전자가 '반도체 비전 2030'을 통해 비메모리 반도체 생산시설 확충에 투자 확대를 밝히자 이어 TSMC가 투자 계획을 밝히면서 파운드리 미세공정의 주도권을 잡기 위한 1·2위 간 경쟁이 가열되는 모양새다.


24일 반도체 업계와 대만 정보기술(IT) 전문매체 디지타임스 등 외신에 따르면 최근 TSMC 이사회는 첨단 노드를 제조하기 위해 40억달러(약 4조7632억원)의 자본 지출을 승인한 것으로 알려졌다.

해당 자금은 첨단 노드 제조의 용량 확장과 연구개발(R&D) 투자에 활용될 것으로 보인다.

첨단 공정에 투자하면서 빠르게 쫓아오는 삼성전자의 추격을 뿌리치고 시장 1위 자리를 지키겠다는 구상이다.


업계에서는 삼성전자와 TSMC가 7㎚ 이하 최첨단 미세공정(회로 선폭을 줄이는 기술)에서 주도권을 잡기 위해 치열한 투자 경쟁을 펼치고 있다고 해석한다.

전 세계에서 7㎚ 이하 파운드리 미세공정은 삼성전자·TSMC만 가능하다.


나노 공정은 회로 폭을 ㎚(1㎚는 10억분의 1m)급으로 줄여 반도체를 만드는 공정을 말한다.

5㎚ 공정은 반도체 소자에 들어가는 회로 선폭이 5㎚급(머리카락 굵기의 2만4000분의 1 수준)임을 의미한다.

나노 공정이 미세해질수록 칩 크기를 줄일 수 있고 전력 효율도 높일 수 있다.

이와 함께 칩이 작아져 웨이퍼당 생산량이 증가하고 원가 경쟁력도 높아진다.


나노 이하 반도체 미세공정을 위해서는 반도체 초미세 공정의 총아라 불리는 극자외선(EUV) 노광장비가 필수적이다.

EUV 장비는 네덜란드 ASML이 유일하게 생산해 제작에만 수개월이 걸리고 대당 1500억~2000억원에 달하는 고가 장비다.

초미세공정에서 주도권을 확보하기 위해서 막대한 자금력이 필수적인 이유다.

삼성전자는 지난해 말부터 최근까지 7㎚ 공정에 필요한 EUV 장비를 10여 대 구입했고, TSMC도 올해 들어 EUV 장비를 10대 이상 구매 예약한 것으로 알려졌다.

파운드리 3·4위 업체인 인텔과 글로벌파운드리가 최근 7㎚ 이하 투자를 잠정 중단한 것도 EUV 장비 가격에 대한 부담 때문이었다.


기존 불화아르곤(ArF) 공정보다 파장 길이가 14분의 1에 불과한 EUV 장비는 더 세밀한 반도체 회로 패턴을 그릴 수 있어 7㎚ 이하 미세공정에 적합하다.

삼성전자는 7㎚ 공정부터 EUV 장비를 쓰고 있고, TSMC는 5㎚ 공정 개발부터 EUV 장비를 도입한 상황이다.


7㎚ 수주 경쟁에서 앞선 TSMC는 현재 압도적 매출 1위를 지키고 있다.


삼성전자는 미세공정 개발에 유리한 EUV 장비를 먼저 활용해 기술 개발에 속도를 낸다는 전략이다.

삼성전자가 미세공정에 유리한 EUV 장비를 TSMC보다 먼저 시작한 만큼 향후 기술을 진척시키는 데 유리할 수 있다는 분석도 나온다.


도현우 NH투자증권 연구원은 최근 보고서에서 "삼성전자는 7㎚ 공정부터 EUV 장비를 도입해 TSMC보다 빠르다"며 "다양한 환경에서 빠르게 EUV 장비를 활용해 양산에 대한 경험을 쌓은 점이 5㎚부터 효과를 발휘해 TSMC와 공정 경쟁력 차이를 근접한 수준까지 좁힐 것"이라고 분석했다.


TSMC로서는 삼성전자가 먼저 EUV 장비로 7㎚ 공정을 성공시키고 일정 부분 노하우를 선점한 만큼 이를 따라가기 위해 공격적인 투자를 감행한 것으로 보인다.

앞서 TSMC는 올해 투자 규모를 110억달러(약 13조988억원)로 공시했다.

이 중 80%는 7㎚를 비롯해 5㎚, 3㎚ 공정 기술에 할당할 예정이다.


[황순민 기자]
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#삼성전자 #나노

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